アンチモン化アルミニウム
アンチモン化アルミニウム（アンチモンかアルミニウム、Aluminium antimonide、AlSb）は、アルミニウムとアンチモンを含むIII-V族半導体である。格子定数は、0.61 nmである。間接バンドギャップは、300 Kで約1.6 eVであるが、直接バンドギャップは2.22 eVである。
| アンチモン化アルミニウム | |
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| 識別情報 | |
| CAS登録番号 | 25152-52-7 
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| PubChem | 91307 |
| ChemSpider | 82452
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| EC番号 | 246-667-3 |
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| 特性 | |
| 化学式 | AlSb |
| モル質量 | 148.742 g/mol |
| 外観 | 黒色結晶 |
| 密度 | 4.26 g/cm3 |
| 融点 |
1060 °C, 1333 K, 1940 °F |
| 沸点 |
2467 °C, 2740 K, 4473 °F |
| 水への溶解度 | 不溶 |
| バンドギャップ | 1.58 eV |
| 屈折率 (nD) | 3.3 |
| 構造 | |
| 結晶構造 | 閃亜鉛鉱構造 |
| 空間群 | T2d-F-43m |
| 配位構造 | 四面体 |
| 熱化学 | |
| 標準生成熱 ΔfH |
-50.4 kJ/mol |
| 標準モルエントロピー S |
65 J/mol K |
| 危険性 | |
| 安全データシート(外部リンク) | MSDS |
| NFPA 704 |
 3
0
1
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| 特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。 | |
300 Kで、電子移動度は200 cm2·V−1·s−1、正孔移動度は400 cm2·V−1·s−1である。屈折率は、波長2 μmで3.3、誘電率はマイクロ波波長で10.9である[1]。
アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と混晶を作ることができ、アンチモン化アルミニウムインジウム(AlInSb)、アンチモン化アルミニウムガリウム(AlGaSb)、アンチモン化アルミニウムヒ素(AlAsSb)等の三元混晶を形成する。
アンチモン化アルミニウムは、アンチモン化物イオン(Sb3-)が還元性を持つために可燃性があり、燃えると酸化アルミニウムと三酸化アンチモンが生成する。
脚注 編集
- ^ K Seeger and E Schonherr "Microwave dielectric constant of aluminium antimonide" Semicond. Sci. Technol. 6 (1991) 301 doi:10.1088/0268-1242/6/4/013