p型半導体を用いたMOSキャパシタの反転。p型半導体の価電子帯が曲がり、そのエネルギーECがフェルミ準位EFより低くなった部分が反転層(Inversion layer)。

半導体における反転層(Inversion layer)とは、不純物半導体の表面に少数キャリアが集まってできた層のこと。n型半導体の場合は正孔の層、p型半導体の場合は電子の層が形成される。MOSキャパシタMOSFETの酸化物/半導体界面などで見られる。

反転層を形成している電子は二次元電子ガスであり、量子ホール効果等が観測されている[1]

参考文献編集

  1. ^ K. v. Klitzing; G. Dorda; M. Pepper (1980). “New method for high-accuracy determination of the fine-structure constant based on quantized Hall resistance”. Phys. Rev. Lett. 45 (6): 494–497. Bibcode1980PhRvL..45..494K. doi:10.1103/PhysRevLett.45.494.