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収束電子回折(しゅうそくでんしかいせつ、: Convergent Beam Electron Diffraction, CBED)とは電子回折における手法の1つで、円錐状に収束させた電子線を試料に照射させ、通常、10 nm 以下の試料領域から回折パターンを得る方法である。

平行ビームを照射することで鋭いスポット状の回折波からなる回折パターンを得る制限視野回折 (Selected area (electron) diffraction、SAD、SAED) とは対照的に、CBEDではディスク状の回折波からなる回折パターンが得られる。

CBEDパターンを解析することでサンプル厚さや格子定数の精密測定、結晶の対称性(点群空間群)の決定、格子欠陥の同定ができる。

参考文献編集

  • 田中通義、寺内正己、津田健治『やさしい電子回折と初等結晶学―電子回折図形の指数付け,収束電子回折の使い方―共立出版、2014年12月23日、改訂新版。全国書誌番号:22516087ISBN 978-4-320-03471-6NCID BB17620995OCLC 902684875ASIN 4320034716

関連項目編集