林厳雄
林 厳雄（はやし いづお、1922年5月1日 - 2005年9月26日）は、日本の物理学者。東京府生まれ。半導体レーザーの実現に功績があった。
| 林 厳雄 | |
|---|---|
| 生誕 |
1922年5月1日 日本東京府 |
| 死没 | 2005年9月26日（83歳没） |
| 研究分野 | 半導体工学 |
| 研究機関 |
東京大学原子核研究所 ベル研究所 日本電気中央研究所 |
| 出身校 | 東京大学 |
| 主な業績 | 半導体レーザー |
| 主な受賞歴 |
IEEEフェロー（1976年） 京都賞先端技術部門（2001年） |
| プロジェクト:人物伝 | |
経歴 編集
東京大学理学部物理学科卒業。
東京大学原子核研究所助教授を経て、1963年に渡米。マサチューセッツ工科大学に滞在後、1964年から1971年までベル研究所研究員で勤務して1970年には室温での半導体レーザーの連続発振に成功した。1971年に帰国、日本電気中央研究所などで研究した。1976年IEEEフェロー選出。2001年にはベル研究所時代の同僚であるモートン・パニッシュとソビエトでレーザーの連続発振に成功したジョレス・アルフョーロフと共に京都賞先端技術部門を受賞した。
京都賞の賞金をもとに応用物理学会の光・電子集積技術業績賞（林厳雄賞）が設けられた。
受賞歴 編集
- 1961年 藤原賞
- 1974年 市村産業賞奨励賞 長寿命半導体レーザーの開発に対して
- 1984年 IEEE J. J. Ebers Award
- 1986年 朝日賞[1]
- 1988年 IEEEデービッド・サーノフ賞
- 1993年 Marconi Fellowship賞
- 2001年 京都賞先端技術部門[2]
論文 編集
- Hayashi, I., M. Panish, and P. Foy. "A low-threshold room-temperature injection laser." IEEE Journal of Quantum Electronics 5.4 (1969): 211-212.
- Hayashi, I., et al. "Junction lasers which operate continuously at room temperature." Applied Physics Letters 17.3 (1970): 109-111.
- Panish, M. B., I. Hayashi, and S. Sumski. "DOUBLE‐HETEROSTRUCTURE INJECTION LASERS WITH ROOM‐TEMPERATURE THRESHOLDS AS LOW AS 2300 A/cm2." Applied Physics Letters 16.8 (1970): 326-327.
- Panish, M. B., S. Sumski, and I. Hayashi. "Preparation of multilayer LPE heterostructures with crystalline solid solutions of Al x Ga 1− x As: Heterostructure lasers." Metallurgical Transactions 2.3 (1971): 795-801.
- Hayashi, I., M. B. Panish, and F. K. Reinhart. "GaAs–Al x Ga1− x As Double Heterostructure Injection Lasers." Journal of Applied Physics 42.5 (1971): 1929-1941.
特許 編集
脚注 編集
- ^ “朝日賞 1971－2000年度”. 朝日新聞社. 2022年9月1日閲覧。
- ^ “年度別 受賞者一覧”. 京都賞. 2022年9月1日閲覧。