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'''SOI''' (''Silicon on Insulator'') は、[[C-MOS]] [[LSI]]の高速性・低消費電力化を向上させる技術である。
[[IBM]]社が作った技術で、IBMではサイモックス「SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)」とよんでいた。SOI技術の正体はLSIの[[トランジスタ]]ゲートの[[絶縁膜]]
トランジスタを形成するのに必要な[[シリコン]]結晶薄膜の理想は純粋シリコン結晶だが、その下の絶縁膜は完全な[[結晶]]ではないので、完全な結晶を作ることは困難だった。SOIはこれを克服して純粋なシリコン結晶薄膜を作らせる。シリコン結晶表面からわずかに深い部分に酵素分子を埋め込み、それを高熱で酸化させることでなし得る。
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[[en:silicon on insulator]]
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