削除された内容 追加された内容
Aibot (会話 | 投稿記録)
Amikake3 (会話 | 投稿記録)
m dab
3行目:
[[半導体]]結晶中においては、周囲の[[価電子]]が次々と正孔に落ち込み別の場所に新たな正孔が生じる、という過程を順次繰り返すことで結晶内を動き回ることができ、あたかも「正の電荷をもった電子」のように振舞うとともに[[電気伝導性]]に寄与する。なお、周囲の[[価電子]]ではなく、[[伝導電子]]([[自由電子]])が正孔に落ち込む場合には、伝導電子と価電子の間のエネルギー準位の差に相当するエネルギーを熱や光として放出し、電流の担体(通常[[半導体#キャリア|キャリア]]と呼ぶ)としての存在は消滅する。このことをキャリアの再結合と呼ぶ。
 
正孔は、[[自由電子]]と同様に、電荷を運ぶ担体として振舞うことができる。正孔による[[電気伝導性]]をp型と言う。[[半導体]]に[[アクセプター]]を[[ドーピング (半導体)|ドーピング]]すると、[[価電子]]が熱エネルギーによって[[アクセプタ準位]]に[[遷移]]し、正孔の濃度が大きくなる。また伝導電子の濃度に対して正孔の濃度が優越する半導体を[[p型半導体]]と呼ぶ。
 
一般に正孔の[[ドリフト移動度]](あるいは単に[[電子移動度|移動度]])は自由電子のそれより小さく、[[シリコン]]結晶中では電子のおよそ1/3になる。なお、これによって決まる[[ドリフト速度]]は個々の電子や正孔の持つ速度ではなく、平均の速度であることに注意が必要である。