「薄膜トランジスタ」の版間の差分

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'''薄膜トランジスタ'''(はくまくトランジスタ、thin film transistor、'''TFT''') は、[[電界効果トランジスタ]](field effect transistor、以下FET)の1種である。基本的に三端子素子(バックゲート端子(B)が存在しない)である。主に[[液晶ディスプレイ]] (LCD) に応用されている。[[半導体]]活性層として[[セレン化カドミウム]] (CdSe) を使ったTFTは固体撮像素子用として1949年に発表され、1973年にLCDの駆動が発表された。半導体として[[ケイ素]] (Si) を用いるものには、[[アモルファス]][[膜]]と[[多結晶]]膜とがあり、アモルファス膜は1979年に[[イギリス|英国]][[ダンディ大学]]で開発され、その後[[日本]]を中心にLCD用に活発に研究開発が進んだ。アモルファスSiと多結晶SiのTFTは、カラーTFT LCDとして広く応用されている。
 
== 特徴と分類 ==