「イオン注入」の版間の差分

m (ロボットによる 追加: fr:Implantation ionique)
== 半導体工学への応用 ==
=== ドーパント注入 ===
イオン注入が最も一般的にいられるのは、[[半導体]]中への[[ドーパント]]注入である。通常半導体がシリコンの場合普通[[ボロン]]、[[リン]]、[[ホウ素]]、[[砒素]]など純度非常に高い純度のドーパント原子であり、ドーパント原子の[[ボロン]]は3フッ化ボロン(BF3)ガスより生成さ、[[リン]]はフォスフィン(PH3)ガス、[[砒素]]はアルシン(AsH3)ガスが一般的に使わている。だし、これら使用されるガスは危険、それぞれ腐食性が強かったり、発火性が高かったり、致死性が高いなど非常に危険性が高いガスである。ドーパントが注入されることにより、半導体中にキャリアとして[[電子]]または[[正孔]]を発生してつくり、半導体の伝導性を変化させる。なお、通常は熱[[拡散]]により、イオンを半導体中の深いところまで追い込むとともに、半導体結晶の[[格子欠陥|損傷]]を回復する。
 
=== SOI(Silicon on Insulator) ===
匿名利用者