「イオン注入」の版間の差分

イオン注入が最も一般的に適用さいられるのは、[[半導体]]中への[[ドーパント]]の注入である。通常半導体がシリコンの場合、普通[[ボロン]]、[[リン]]、[[ホウ素]]、[[砒素]]など純度の非常に高い純度のドーパントが原子であり、ドーパント原子の[[ボロン]]は３フッ化ボロン（BF3）ガスより生成さ、[[リン]]はフォスフィン（PH3）ガス、[[砒素]]はアルシン（AsH3）ガスが一般的に使われている。まただし、これらに使用されるガスは危険、それぞれ腐食性が強かったり、発火性が高かったり、致死性が高いなど非常に危険性が高いガスである。ドーパントが注入されることにより、半導体中にキャリアとして[[電子]]または[[正孔]]を発生してつくり、半導体の伝導性を変化させる。なお、通常は熱[[拡散]]により、イオンを半導体中の深いところまで追い込むとともに、半導体結晶の[[格子欠陥|損傷]]を回復する。