「イオン注入」の版間の差分

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=== ドーパント注入 ===
イオン注入が最も一般的に用いられるのは、[[半導体]]中への[[ドーパント]]注入である。半導体がシリコンの場合、普通[[ボロン]]、[[リン]]、[[砒素]]など純度の高いドーパント原子であり、ドーパント原子の[[ボロン]]は3フッ化ボロン(BF3)ガス、[[リン]]はフォスフィン(PH3)ガス、[[砒素]]はアルシン(AsH3)ガスが一般的に使われている。また、これらに使用されるガスは、それぞれ腐食性が強かったり、発火性が高かったり、致死性が高いなど非常に危険性が高いガスである。ドーパントが注入されることにより、半導体中にキャリアとして[[電子]]または[[正孔]]をつくり、半導体の伝導性を変化させる。なお、通常は熱[[拡散]]により、イオンを半導体中の深いところまで追い込むとともに、半導体結晶の[[格子欠陥|損傷]]を回復する。
 
=== PAI(Pre-Amorphization Implantation) ===
ドーパント注入の前に[[ゲルマニウム]]等の重いイオンをシリコン基板に注入することにより、シリコン基板の表面を[[アモルファス]]状態に変質させる。これにより、ドーパント注入時のチャネリング現象を抑制できるため、浅い接合の形成が可能となる。
 
=== SOI(Silicon on Insulator) ===
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