「イオン注入」の版間の差分

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=== SOI(Silicon on Insulator) ===
酸素をシリコン基板中に高エネルギー・高濃度で注入するした後、熱処理を行うことにより、シリコン基板の深いところにシリコン酸化物の層を形成する。シリコン酸化物が絶縁体であるため、[[SOI]](Silicon on Insulator)構造となる。
 
=== 素子分離(アイソレーション) ===
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