「イオン注入」の版間の差分

編集の要約なし
編集の要約なし
 
イオン種、対象物、およびイオンの加速エネルギーにより、固体中のイオンの注入深さが決まる。単一エネルギーのイオンビームにおいても、一般的に深さ方向の分布が広がる。通常の注入深さは10ナノメートルから1マイクロメートル程度である。そのため、イオン注入は対象物の表面付近で化学変化・構造変化が求められる場合に特に有効である。イオンは対象物の原子との衝突、および電子軌道のオーバーラップによる効力などにより次第にエネルギーを失っていく。
 
 
== 半導体工学への応用 ==
=== 素子分離(アイソレーション) ===
[[ガリウムヒ素]]等の化合物半導体では、素子間の分離(アイソレーション)にイオン注入を用いる場合がある。イオン注入がエピ構造を破壊すると同時に、ドーパントが[[バンドギャップ]]中に深い[[準位]]を形成し、高抵抗となる。
 
== イオン注入装置の分類 ==
=== 高電流イオン注入装置 ===
mAオーダーのイオンビームを発生できるように設計された装置。[[電界効果トランジスタ]]のソース・ドレイン領域のように、高濃度のドーパント注入が必要な領域へのイオン注入に用いられる。通常、低加速エネルギー(<5keV)の注入にも対応できる装置構造になっており、ビームラインの長さは短い。最大の加速エネルギーは数10keV程度。
=== 中電流イオン注入装置 ===
 
=== 高エネルギーイオン注入装置 ===
深い領域へのイオン注入を行うための装置。装置には大規模な加速機構が備わっており、2価以上の多価イオンを用いることで最大数MeVのイオン注入も可能である。
 
=== FPD(Flat Panel Display)用 ===
 
 
{{tech-stub}}
10

回編集