「イオン注入」の版間の差分

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== イオン注入装置の分類 ==
1台の装置で全てのイオン注入条件をカバーできるわけではなく、希望する加速エネルギー・ドーズ量の範囲によって数種類の装置を使い分けなければならないのが現状である。
=== 高電流イオン注入装置 ===
mAミリアンペアオーダーの高電流イオンビームを発生できるように設計された装置。[[電界効果トランジスタ]]のソース・ドレイン領域のように、高濃度のドーパント注入が必要な領域へのイオン注入に用いられる。通常、低加速エネルギー(<5keV)の注入にも対応できる装置構造になっており、ビームラインの長さは短い。最大の加速エネルギーは数10keV程度。
=== 中電流イオン注入装置 ===
発生させることができるイオンビーム電流はマイクロアンペアオーダーであり、比較的低濃度のドーパントを精密注入するときに用いられる。数keV~数100keVの範囲でイオンを加速することができるため汎用性が高く、通常の半導体デバイスの製造工程において適用工定数が最も多い。
 
=== 高エネルギーイオン注入装置 ===
深い領域へのイオン注入を行うための装置。装置には大規模な加速機構が備わっており、2価以上の多価イオンを用いることで最大数MeVまでイオン注入を加速することも可能である。発生させることのできるイオンビーム電流はマイクロアンペアオーダー
 
=== FPD(Flat Panel Display)用 ===
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