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Se9691lf
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21行目:
=== 素子分離(アイソレーション) ===
[[
ヒ化
ガリウム
ヒ素
]]等の化合物半導体では、素子間の分離(アイソレーション)にイオン注入を用いる場合がある。イオン注入がエピ構造を破壊すると同時に、ドーパントが[[バンドギャップ]]中に深い[[準位]]を形成し、高抵抗となる。
== イオン注入装置の分類 ==