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'''ハーバート・クレーマー'''（Herbert Kroemer, [[1928年]][[8月25日]] – ）は[[カリフォルニア大学サンタバーバラ校]]の[[電子工学]]と[[コンピュータ工学]]の教授。1952年に、当時の新型[[トランジスタ]]における[[熱電子効果]]の論文によって[[ドイツ]]の[[ゲオルク・アウグスト大学ゲッティンゲン|ゲッティンゲン大学]]で[[理論物理学]]の博士号を取得した。[[半導体]]の物理の研究をしている。
彼はドイツと[[アメリカ合衆国]]の多くの研究室で研究を行い、1968年から1976年までは[[コロラド大学]]で電子工学を教えた。1976年にはUCSBの研究所に属し、当時主流だった[[シリコン]]の半導体ではなく、新しい化合物を使った半導体の研究を行った。[[全米技術アカデミー]]の会員であるクレーマーはいつも主流とは違う研究を好む。1950年代に彼はドリフトトランジスタを開発し、[[ヘテロ接合 (半導体)|ヘテロ接合]]を採用した半導体がよりよいパフォーマンスを見せることを初めて指摘した。さらに有名なのは、1963年にいまや半導体レーザーの中心概念であるダブルのヘテロ接合の[[レーザー]]の概念を導入したことである。クレーマーは[[分子線エピタキシー法]]の草分けの一人であり、この技術を新しい物質に適用する実験を熱心に行っていた。
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{{ノーベル物理学賞受賞者 (1976年-2000年)}}
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[[Category:ドイツの物理学者]]
[[Category:ノーベル物理学賞受賞者]]
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