「CMOSイメージセンサ」の版間の差分

2009年現在は[[シリコン]]基板上に作りこんだ[[フォトダイオード]]はその上面に配線層が位置しているため光の有効利用が阻害されている。これは、[[開口率]]の問題というよりも斜めから入射する光が配線層の壁で遮蔽されてフォトダイオードまで届かない、まるで深い井戸の底に位置するフォトダイオード受光面を光で照らすような構造になっているためである。この問題はコンパクトカメラのようなダイオードピッチの狭い小さな撮像素子で顕著になる。この構造を改め、シリコン基板の裏面を研磨して薄くし、裏面から受光する構造をもつ'''BSI'''（Backside illumination、裏面照射）技術を採用したCMOSイメージセンサ製品<ref>[http://www.sony.co.jp/SonyInfo/technology/technology/theme/exmor_r_01.html SONY 裏面照射型CMOSイメージセンサ Exmore R]</ref>が登場している。[[ソニー]]と米Omni Vision Technologies社（製造は台湾の[[TSMC]] Co.,Ltd.）で量産され<ref group="出典">日経エレクトロニクス 2008/06/30 P.11</ref>ている。ただし、S/Nは2倍程度まで改善するが劇的な向上ではないとしてBSI技術への移行を疑問視するメーカーもある<ref group="出典">日経エレクトロニクス 2009/05/18 P.138</ref>。なお2012年、[[NHK放送技術研究所]]の「[http://www.nhk.or.jp/strl/open2012/index.html 技研公開2012]」において、裏面照射技術を採用したCCDイメージセンサを用いた超高感度高速度カメラを一般に公開している。