「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の版間の差分

[[画像:IGBT cross section.svg|thumb|200px|プレーナゲート型IGBTの断面構造]]

[[Image:IGBT structure chart 1.PNG|thumb|200px|right|'''IGBTの構造模式図'''<br>1.酸化膜　赤い部分がBJTで黄色い部分がMOS-FETをそれぞれ構成している。]]

Nチャネル縦型MOS-FETのドレイン側にPコレクタを追加した構造である。Pコレクタからの[[正孔]]の注入により、Nベース層の[[導電率]]変調が起こり、抵抗が低下する。このため、MOS-FETと比較すると高電圧の用途に適している。その一方で、注入したキャリアの消滅に時間がかかるため、ターンオフ時間が長くなる。