「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の版間の差分

 

== 逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ==

結晶欠陥密度が高いダイシング側面でのキャリア発生を抑えることによって逆耐圧特性をもたせたものである。

双方向スイッチングを構成するときに、逆耐圧をもたせるための[[ダイオード]]が不要になる。素子数の低減によりコストダウンと小型化・軽量化が可能となる。また、オン電圧の半減が期待できる。交流-交流の直接変換用素子として開発された。