「強誘電体メモリ」の版間の差分
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==概要==
'''強誘電体メモリ'''(きょうゆうでんたいめもり・{{lang-en-short|Ferroelectric Random Access Memory}})とは、'''FeRAM'''とも呼ばれる、[[強誘電体]]の[[ヒステリシス]]([[ヒステリシス|履歴効果]])に因る正負の[[強誘電体|残留分極]]([[強誘電体|自発分極]])を[[デジタルデータ|データ]]の1と0に対応させた[[不揮発性メモリ]]のことである。'''FRAM'''とも呼ばれるが、これは[[ラムトロン・インターナショナル]]<!--{{仮リンク|en|Ramtron International}}-->(【現】[[サイプレス・セミコンダクター]]<!--{{仮リンク|en|Cypress Semiconductor}}--><ref name="acquired">{{Cite web|url=http://www.cypress.com/?rID=92567|title=Cypress Semiconductor has acquired Ramtron International Corporation|accessdate=2014年3月7日|last=|first=|author=|authorlink=|coauthors=|date=|year=|month=|format=|work=|publisher=|page=|pages=|quote=|language=[[英語]]|archiveurl=|archivedate=|deadlinkdate=|doi=|ref=}}</ref><!--Cypress Semiconductor-->)の[[商標]]として登録されており、[[富士通]]は同社との[[ライセンス]]により'''FRAM'''の[[名前|名称]]を使用している。
[[強誘電体]][[コンデンサ|膜]]の[[強誘電体|分極反転]][[時間]]は
==構造と動作原理==
'''FeRAM'''の[[セル]]には[[コンデンサ|キャパシター]]が用いられており、この意味においては、[[Dynamic Random Access Memory|DRAM]]と基本的に類似した[[セル]]である。しかし、この[[コンデンサ|キャパシター]]の[[電極|極]]板間の[[材料]]には[[強誘電体]]が用いられているという点で、'''FeRAM'''は[[Dynamic Random Access Memory|DRAM]]とは大きく異なる。
[[メモリセル]]<ref name="memory_cell">[[データ]]の最小単位である1[[ビット|bit]]を保持するために必要な[[電子回路|回路]]</ref>構成としては、'''FeRAM'''には大きく分けて2種類が提案されている。具体的には、[[強誘電体]][[コンデンサ|キャパシター]](C)と[[メモリセル]]<ref name="memory_cell" />選択用の[[MOSFET]](T)を組み合わせる方法('''1T1C型'''又は'''キャパシター型''')と[[ゲート絶縁膜]]が[[強誘電体]]からなる[[強誘電体|MFS]][[電界効果トランジスタ|FET]]を用いる方法('''1T型'''又は'''トランジスター型''')である。これら2種類においては'''1T1C型'''の方が動作信頼性が高い。なお、'''1T1C型'''は[[Dynamic Random Access Memory|DRAM]]と同じ[[メモリセル]]<ref name="memory_cell" />構成である。これらをベースにした'''2T2C型'''も使われており、これは2つの[[コンデンサ|キャパシター]]を逆向きに[[誘電分極|分極]]させることで[[データ]]の信頼性を高めている。
'''FeRAM'''では、[[電界効果トランジスタ|FET]]をオンさせただけではビット線には[[データ]]は出力されない。何故ならば、[[セル]]である[[コンデンサ|キャパシター]]に[[電圧]]が印加されない状態では、[[セル]]に記憶されている[[データ]]が1であるか0であるかは[[強誘電体]][[コンデンサ|膜]]中に保存されているので、それを読み出すにはソースプレートを駆動して[[コンデンサ|キャパシター]]に[[電圧]]を印加して[[強誘電体]][[コンデンサ|膜]]中の[[誘電分極|分極]]を外部に[[電気素量|電荷量]]として読み出さなければならないからである。(これは読み出しに静電容量が極めて大きい[[セル]][[コンデンサ|キャパシター]]を駆動する[[時間]]を必要とすることも意味する。)従って、'''FeRAM'''においては、ワード線とビット線以外にも、ソースプレートの駆動線と特定の[[セル]]のそれを駆動するためのデコーダー[[論理回路|回路]]が必要となる。
これに拠って、'''FeRAM'''では[[セル]]の[[集積回路#微細化|微細化]]やアクセス速度の高速化において困難が伴う。これらの欠点を克服すべく、[[東芝]]が、'''ChainFeRAM'''と呼ばれる、新しい[[メモリセル]]<ref name="memory_cell" />構造の'''FeRAM'''を[[2001年]]に発表している<ref name="ChainFeRAM">{{Cite journal|和書|last=|first=|author=[[大脇幸人]]|authorlink=|coauthors=[[國島巌]]・[[山川晃司]]|date=2001-01|year=|month=|title=新不揮発性メモリChainFeRAM|journal=[[東芝レビュー]]|volume=56|issue=1|page=|pages=51-54|publisher=[[東芝]]|location=|issn=|doi=|naid=|id=|url=https://www.toshiba.co.jp/tech/review/2001/01/56_01pdf/b06.pdf|format=PDF|accessdate=|quote=}}</ref>。なお、'''ChainFeRAM'''は[[東芝]]の[[商標]]である。
{{Gallery|title='''FeRAM'''のメモリセル|width=384|height=288|lines=1
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書き込み時にはワード線で[[セル]]である[[強誘電体]][[コンデンサ|キャパシター]]を選択し、ビット線とソースプレートの間に[[電圧]]を印加して[[強誘電体]][[薄膜|膜]]を[[誘電分極|分極]]させる。読み出し時には[[パルス]][[電圧]]を加えて[[誘電分極|分極]]反転による[[電流]]が流れたかどうかで[[セル]]に蓄えられた[[データ]]をセンスアンプで判定する。この時、[[誘電分極|分極]]は元の状態に依らずに[[電圧]]印加方向を向く(同方向ならば[[電流]]が流れず、反対方向ならば反転して[[電流]]が生じる。)ので、破壊読出しとなる。このため、読み出す時には必ず再書き込みを必要とするので、書き込み回数に読み出し回数も含まれる。
[[コンデンサ|キャパシター]][[薄膜|膜]]が[[常誘電体]]でなく[[強誘電体]]であるので、[[電界効果トランジスタ|FET]]に[[リーク電流]]が
===1T型===
ビット線とソースプレートの間に[[電圧]]を印加して[[強誘電体]][[薄膜|膜]]を任意の方向に[[誘電分極|分極]]させる。その方向に依ってビット線に[[電圧]]を印加した際の[[電流]]が変わるので、これから[[セル]]である[[強誘電体|MFS]][[電界効果トランジスタ|FET]]の[[ゲート絶縁膜]]に蓄積された[[データ]]を判定する。読み出し時に[[強誘電体]][[薄膜|膜]]の[[分極電荷]]は変化しないので非破壊読み出しであり、且つ、[[メモリセル]]<ref name="memory_cell" />の構造も単純で済む。しかし、現時点では、[[
===2T2C型===
'''1T1C型'''と同様にワード線によって[[セル]]の[[強誘電体]][[コンデンサ|キャパシター]]1を選択する。書き込みは同様にソースプレートの昇[[電圧|圧]]によって行なうが、この時に、対となっている[[強誘電体]][[コンデンサ|キャパシター]]2の[[電界効果トランジスタ|FET]]のビット線にも[[時間]]差を付けて昇[[電圧|圧]]する。このままではソースプレートを降[[電圧|圧]]した時点で対となっている側の[[強誘電体]][[コンデンサ|キャパシター]]2には負の[[電圧]]が印加されるため、書き込みを意図している[[強誘電体]][[コンデンサ|キャパシター]]1とは逆方向に[[強誘電体|残留分極]]が発生する。こうして互いに異なる向きの[[誘電分極|分極]]が形成されるため、「0&1」または「1&0」という組み合わせでデジタル[[データ]]を表す。
読み出し時も同様にワード線とソースプレートを昇[[電圧|圧]]して、ビット線のどちらの[[電圧]]の変化が大きいか(どちらに[[変位電流]]が流れるか)を測定することで[[データ]]を判定する。なお、この時に順方向の[[誘電分極|分極]]を持つ[[強誘電体]][[コンデンサ|キャパシター]]1でも[[電圧]]が変化するのは[[誘電分極|分極]]の微小変位によるものである。また、読み出し時に、[[強誘電体]][[コンデンサ|キャパシター]]2のワード線より先にソースプレートを降[[電圧|圧]]すると、負の電圧が印加されて再書き込みが行なわれ、読み出し時の
==強誘電体膜の材料==
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*大きい[[強誘電体|残留分極]]
:小さな[[コンデンサ|キャパシター]][[面積]]で大きな[[強誘電体|分極反転]][[電流]]を実現して[[メモリセル]]<ref name="memory_cell" />アレイ部分のレイアウトにおいて高密度化を実現できる
*低い[[比誘電率]]
:[[強誘電体|分極反転]]しない場合の[[変位電流]]を低減して読み出しエラーを避けられる
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*高いリテンション(保持)<ref name="retention">時間経過しても[[強誘電体|残留分極]]を維持し続ける事</ref>特性
:電源を切っても室[[温度|温]]で10年間以上に亘って[[強誘電体|残留分極]]([[データ]])を保持させられる
*小さいインプリント<!--imprint--><ref name="imprint">同一方向に複数回[[パルス]][[電圧]]を印加した後では逆方向の[[パルス]][[電圧]]を印加しても1回では完全に[[強誘電体|分極反転]]し難くなる[[現象]]</ref>特性
:書き込みエラーを減らせる
*
:10年程度の動作保証性を実現するための目安として10<sup>12</sup>回(理想的には10<sup>15</sup>回)以上の[[強誘電体|分極反転]]に耐えられる
上記の条件を満たす[[材料]]として、
====PZT====
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*他分野での実用化が進んでおり、成[[薄膜|膜]]方法のノウハウが蓄積されている。
*[[強誘電体|残留分極]]量が、配向に依存して、25
*[[結晶化]][[温度]]が550[[セルシウス度|°C]]と低く、[[集積回路]]の[[集積回路|半導体]]製造プロセスと相性が良い。
*[[人体]]に有害な[[鉛|Pb]]が含まれているため、[[環境基準]]に対応できない。
*高[[温度|温]]処理に耐えられる[[白金|Pt]]や[[金|Au]]などを[[電極]]に用いると疲労[[現象]]<ref name="fatigue" />が著しくなり、10<sup>7</sup>回以下の[[強誘電体|分極反転]]で[[強誘電体|残留分極]]が顕著に減少する。ただし、[[二酸化イリジウム
本[[材料]]系では、従前、[[強誘電体|分極]][[ドメイン]]の[[ナノテクノロジー|ナノ構造化]]に拠って[[強誘電体|分極]]が容易な[[光学軸|軸]]の方向が[[結晶]]の[[対称性]]に束縛されず[[強誘電体|極]][[光学軸|軸]]が自由に[[回転 (ベクトル解析)|回転]]することが既に示されている。これは記録[[密度]]が現状の2桁増大するという可能性を示している。
そして、[[2014年]]に、その[[強誘電体|分極]]自由[[回転 (ベクトル解析)|回転]]状態の書き込みと読み込みの実証が報告されている<ref name="PZT_paper">{{Cite journal|last=|first=|author=[[R. K. Vasudevan]]|authorlink=|coauthors=[[Y. Matsumoto]], [[Xuan Cheng]], [[A. Imai]], [[S. Maruyama]], [[H. L. Xin]], [[M. B. Okatan]], [[S. Jesse]], [[S. V. Kalinin]] and [[V. Nagarajan]]|date=2014-09-18|year=|month=|title=Deterministic arbitrary switching of polarization in a ferroelectric thin film|journal=[[ネイチャー・コミュニケーション|Nature Communications]] 5|volume=|issue=4971|page=|pages=|publisher=[[ネイチャー|Nature Publishing Group]]|location=|issn=|isbn=|doi=10.1038/ncomms5971|pmid=|pmc=|naid=|oclc=|id=|url=http://www.nature.com/ncomms/2014/140918/ncomms5971/full/ncomms5971.html|format=|accessdate=|quote=}}</ref><ref name="PZT_PR">{{Cite press release|title=強誘電体メモリー、超高密度化に道|publisher=[[東北大学]]|date=2014年9月19日|url=http://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press_20140919_02web.pdf|format=PDF|language=|accessdate=|archiveurl=|archivedate=|quote=}}</ref><ref name="PZT_news">{{Cite news|title=東北大、強誘電体メモリの記録密度を大幅に向上させる可能性を示す|newspaper=|date=2014-09-22|author=|authorlink=|author2=|authorlink2=|author3=|authorlink3=|author4=|authorlink4=|author5=|authorlink5=|author6=|authorlink6=|author7=|authorlink7=|author8=|authorlink8=|author9=|authorlink9=|url=http://news.mynavi.jp/news/2014/09/22/305/|accessdate=|format=|agency=|location=|publisher=[[マイナビ]]|isbn=|issn=|oclc=|pmid=|pmd=|bibcode=|doi=|id=|page=|pages=|at=|language=|trans_title=|quote=|archiveurl=|archivedate=|ref=|postscript=}}</ref>。
====SBT====
'''[[タンタル酸ビスマスストロンチウム|SrBi<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>9</sub>]]''' ([[タンタル酸ビスマスストロンチウム
*[[強誘電体|抗電界]]が、'''PZT'''の
*[[電極]][[材料]]に依らず、高い疲労<ref name="fatigue" />耐性を持ち、10<sup>12</sup>回以上の[[強誘電体|分極反転]]に耐えられる。
*インプリント[[現象]]<ref name="imprint" />が起き難い。
*[[強誘電体|強誘電性]]を得るためには700[[セルシウス度|°C]]以上の高[[温度|温]]で[[結晶化]]させねばならない。
*[[強誘電体|残留分極]]を持つa[[光学軸|軸]]方向に[[薄膜]]を成長させ難い。
*[[強誘電体|残留分極]]量が25
====BLT====
'''(Bi,Ln)<sub>4</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>'''
*[[強誘電体|残留分極]]量が10
*[[ビスマス|Bi]]に対して[[ランタン|La]]を10%から20%程度添加すると、疲労[[現象]]<ref name="fatigue" />を抑制できる<ref name="BLT_米国物理学協会_PDF">{{Cite journal||last=|first=|author=[[Su Jae Kim]]|authorlink=|coauthors=[[Chikako Moriyoshi]] [[Sayaka Kimura]] [[Yoshihiro Kuroiwa]] [[Kenichi Kato]] [[Masaki Takata]] [[Yuji Noguchi]] [[Masaru Miyayama]]|date=2007-09-10|year=|month=|title=Direct observation of oxygen stabilization in layered ferroelectric Bi<sub>3.25</sub>La<sub>0.75</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>|journal=[[APPLIED PHYSICS LETTERS]]|volume=91|issue=062913|page=|pages=|publisher=[[米国物理学協会|American Institute of Physics]]|location=|doi=10.1063/1.2768906 |pmid=|pmc=|naid=|oclc=|issn=|isbn=|id=|url=http://scitation.aip.org/deliver/fulltext/aip/journal/apl/91/6/1.2768906.pdf?itemId=/content/aip/journal/apl/91/6/10.1063/1.2768906&mimeType=pdf&containerItemId=content/aip/journal/apl|format=PDF|accessdate=|quote=}}</ref><!--<ref name="BLT_米国物理学協会">{{Cite journal||last=|first=|author=[[Su Jae Kim]]|authorlink=|coauthors=[[Chikako Moriyoshi] [[Sayaka Kimura]] [[Yoshihiro Kuroiwa]] [[Kenichi Kato]] [[Masaki Takata]] [[Yuji Noguchi]] [[Masaru Miyayama]]|date=2007-09-10|year=|month=|title=Direct observation of oxygen stabilization in layered ferroelectric Bi<sub>3.25</sub>La<sub>0.75</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>|journal=[[APPLIED PHYSICS LETTERS]]|volume=91|issue=062913|page=|pages=|publisher=[[米国物理学協会|American Institute of Physics]]|location=|doi=10.1063/1.2768906|pmid=|pmc=|naid=|oclc=|issn=|isbn=|id=|url=http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/91/6/10.1063/1.2768906|format=|accessdate=|quote=}}</ref>--><ref name="BLT_理化学研究所_PDF">{{Cite journal||last=|first=|author=[[Su Jae Kim]]|authorlink=|coauthors=[[Chikako Moriyoshi]] [[Sayaka Kimura]] [[Yoshihiro Kuroiwa]] [[Kenichi Kato]] [[Masaki Takata]] [[Yuji Noguchi]] [[Masaru Miyayama]]|date=2007-09-10|year=|month=|title=Direct observation of oxygen stabilization in layered ferroelectric Bi<sub>3.25</sub>La<sub>0.75</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>|journal=|volume=|issue=|page=|pages=|publisher=[[理化学研究所]]|location=|doi=|pmid=|pmc=|naid=|oclc=|issn=|isbn=|id=|url=http://www.spring8.or.jp/pdf/en/res_fro/07/056-057.pdf|format=PDF|accessdate=|quote=}}</ref><!--<ref name="BLT_理化学研究所">{{Cite press release|title=1兆回繰り返し使える強誘電体メモリー材料のしくみを解明 - “魔法の置換” 有害な鉛を使わない新材料開発へ新しい展望 -|publisher=[[理化学研究所]]|date=2007年10月1日|url=http://www.spring8.or.jp/ja/news_publications/press_release/2007/071001/index.html|format=|language=|accessdate=|archiveurl=|archivedate=|quote=}}</ref>-->。
*600[[セルシウス度|°C]]という低[[温度|温]]で形成できる<ref name="BLT_富士通">{{Cite press release|title=FeRAM用新強誘電体薄膜の低温成膜に成功|publisher=[[富士通]]|date=2001年3月30日|url=http://pr.fujitsu.com/jp/news/2001/03/30-1.html|format=|language=|accessdate=|archiveurl=|archivedate=|quote=}}</ref>
*配向を制御して[[結晶化]]させ難いため、現状では[[強誘電体|残留分極]]量が小さく[[強誘電体|抗電界]]が高い。
==実用
'''FeRAM'''は、従来広く用いられてきた[[EEPROM]]よりも、動作が高速で[[消費電力]]が低く、[[セル]]サイズも15[[F値|F]]<sup>2</sup>と小さく<ref name="EEPROM_F">EEPROMでは40[[F値|F]]<sup>2</sup>以上である</ref>、[[フォトマスク|マスク]]の追加が少なくて済むなど[[集積回路|半導体]]製造プロセスとの相性も良い。
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==参考資料==
*{{Cite book|1=和書|last=|first=|author=[[ジェームズ・スコット]]<!--{{仮リンク|en|James F. Scott}}-->|authorlink=|last1=|first1=|author1=|authorlink1=|last2=|first2=|author2=|authorlink2=|last3=|first3=|author3=|authorlink3=|last4=|first4=|author4=|authorlink4=|coauthors=|translator=[[田中均洋]]・[[三浦薫]]・[[磯辺千春]]|editor=|others=|title=強誘電体メモリ 物理から応用まで|origdate=|origyear=|url=http://www.springer-tokyo.co.jp/content/isbn978-4-43171-057-8.html|format=|accessdate=|edition=|date=2003-11-01|year=|publisher=[[シュプリンガー・ジャパン|シュプリンガー・フェアラーク東京]]|location=|series=|language=|id=|isbn=978-4-43171-057-8|ncid=|naid=|oclc=|doi=|asin=|lcc=|volume=|page=|pages=|chapter=|chapterurl=|quote=|ref=}}
*{{Cite book|1=和書|last=|first=|author=|authorlink=|last1=|first1=|author1=|authorlink1=|last2=|first2=|author2=|authorlink2=|last3=|first3=|author3=|authorlink3=|last4=|first4=|author4=|authorlink4=|coauthors=|translator=|editor=[[石原宏]]|others=|title=強誘電体メモリーの新展開|origdate=|origyear=|url=http://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=2606|format=|accessdate=|edition=|date=2004-02|year=|publisher=[[シーエムシー出版]]|location=|series=|language=|id=|isbn=978-4-88231-819-4|ncid=|naid=|oclc=|doi=|asin=|lcc=|volume=|page=|pages=|chapter=|chapterurl=|quote=|ref=}}
*{{Cite book|1=和書|last=|first=|author=|authorlink=|last1=|first1=|author1=|authorlink1=|last2=|first2=|author2=|authorlink2=|last3=|first3=|author3=|authorlink3=|last4=|first4=|author4=|authorlink4=|coauthors=|translator=|editor=[[塩嵜忠]]・[[宮坂洋一]]・[[望月博]]・[[崎山恵三]]|others=|title=強誘電体メモリ先端プロセス|origdate=|origyear=|url=http://www.science-forum.co.jp/books/0247.htm|format=|accessdate=|edition=|date=1999-09-13|year=|publisher=[[サイエンスフォーラム]]|location=|series=|language=|id=|isbn=978-4-916-16431-5|ncid=|naid=|oclc=|doi=|asin=|lcc=|volume=|page=|pages=|chapter=|chapterurl=|quote=|ref=}}
*{{Cite web|url=http://jp.fujitsu.com/microelectronics/products/memory/fram/overview/index.html|title=FRAMとは|accessdate=2014年10月1日|last=|first=|author=|authorlink=|coauthors=|date=|year=|month=|format=|work=|publisher=[[富士通]]|page=|pages=|quote=|language=|archiveurl=|archivedate=|deadlinkdate=|doi=|ref=}}▼
*{{Cite web|url=http://edevice.fujitsu.com/jp/catalog/ja-pdf/AD00-00015-4.pdf|title=AD00-00015-4.pdf|accessdate=2014年10月1日|last=|first=|author=|authorlink=|coauthors=|date=|year=|month=|format=PDF|work=|publisher=[[富士通セミコンダクター]]|page=|pages=|quote=|language=|archiveurl=|archivedate=|deadlinkdate=|doi=|ref=}}
===FeRAMを含む不揮発性メモリ全般===
*{{Cite book|1=和書|last=|first=|author=|authorlink=|last1=|first1=|author1=|authorlink1=|last2=|first2=|author2=|authorlink2=|last3=|first3=|author3=|authorlink3=|last4=|first4=|author4=|authorlink4=|coauthors=|translator=|editor=[[小柳光正]]|others=|title=次世代半導体メモリの最新技術|origdate=|origyear=|url=http://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=3151|format=|accessdate=|edition=|date=2009-02|year=|publisher=[[シーエムシー出版]]|location=|series=|language=|id=|isbn=978-4-88231-992-4|ncid=|naid=|oclc=|doi=|asin=|lcc=|volume=|page=|pages=|chapter=|chapterurl=|quote=|ref=}}
*{{Cite book|1=和書|last=|first=|author=|authorlink=|last1=|first1=|author1=|authorlink1=|last2=|first2=|author2=|authorlink2=|last3=|first3=|author3=|authorlink3=|last4=|first4=|author4=|authorlink4=|coauthors=|translator=|editor=[[小柳光正]]|others=|title=次世代半導体メモリの最新技術|origdate=|origyear=|url=http://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=4468|format=|accessdate=|edition=普及版|date=2013-09-06|year=|publisher=[[シーエムシー出版]]|location=|series=|language=|id=|isbn=978-4-7813-0735-0|ncid=|naid=|oclc=|doi=|asin=|lcc=|volume=|page=|pages=|chapter=|chapterurl=|quote=|ref=}}
*{{Cite web|url=http://itpro.nikkeibp.co.jp/members/NBY/techsquare/20031003/1/|title=次世代不揮発性メモリー 風変わりな記憶素子を使い高速・低消費電力を目指す (上)|accessdate=2003年10月8日|last=|first=|author=[[堀内かほり]]|authorlink=|coauthors=|date=|year=|month=|format=|work=[[ITpro]]|publisher=[[日経BP]]|page=|pages=|quote=|language=|archiveurl=|archivedate=|deadlinkdate=|doi=|ref=}}
*{{Cite web|url=http://itpro.nikkeibp.co.jp/members/NBY/techsquare/20031003/2/|title=次世代不揮発性メモリー 風変わりな記憶素子を使い高速・低消費電力を目指す (中)|accessdate=2003年10月8日|last=|first=|author=[[堀内かほり]]|authorlink=|coauthors=|date=|year=|month=|format=|work=[[ITpro]]|publisher=[[日経BP]]|page=|pages=|quote=|language=|archiveurl=|archivedate=|deadlinkdate=|doi=|ref=}}
*{{Cite web|url=http://itpro.nikkeibp.co.jp/members/NBY/techsquare/20031003/3/|title=次世代不揮発性メモリー 風変わりな記憶素子を使い高速・低消費電力を目指す (下)|accessdate=2003年10月9日|last=|first=|author=[[堀内かほり]]|authorlink=|coauthors=|date=|year=|month=|format=|work=[[ITpro]]|publisher=[[日経BP]]|page=|pages=|quote=|language=|archiveurl=|archivedate=|deadlinkdate=|doi=|ref=}}
▲*{{Cite web|url=http://jp.fujitsu.com/microelectronics/products/memory/fram/overview/index.html|title=FRAMとは|accessdate=2014年10月1日|last=|first=|author=|authorlink=|coauthors=|date=|year=|month=|format=|work=|publisher=[[富士通]]|page=|pages=|quote=|language=|archiveurl=|archivedate=|deadlinkdate=|doi=|ref=}}
==関連項目==
*[[
**[[サイプレス・セミコンダクター]]<!--{{仮リンク|en|Cypress Semiconductor}}-->
***[[ラムトロン・インターナショナル]]<!--{{仮リンク|en|Ramtron International}}-->
**[[理化学研究所]]
**[[富士通]]
***[[富士通研究所]]
***[[富士通セミコンダクター]]
**[[東芝]]
*[[環境基準]]
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==注釈・出典==
<references />
==項目分類==
118 ⟶ 130行目:
[[Category:半導体メモリ]]
{{DEFAULTSORT:きゆうゆうてんたいめもり}}
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