「イオン注入」の版間の差分
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===SOI（Silicon on Insulator）===
酸素をシリコン基板中に高エネルギー・高濃度で注入することにより、シリコン基板の深いところにシリコン酸化物の層を形成する。シリコン酸化物が絶縁体であるため、SOI（Silicon on Insulator）構造となる。
===素子分離(アイソレーション)===
[[ガリウムヒ素]]等の化合物半導体では、素子間の分離(アイソレーション)にイオン注入を用いる場合がある。イオン注入がエピ構造を破壊すると同時に、ドーパントが[[バンドギャップ]]中に深い[[準位]]を形成し、高抵抗となる。
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