「集積回路」の版間の差分

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以下の解説は概要で必要ですか? 「製造工程」節に統合した方が良いのでは?
 
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ウェハーと呼ばれる薄い半導体基板の上に光学写真技術によって微細な素子や配線などの像を数十から数百個写し込み、その像を保護マスクとして半導体基板を溶かしたり上塗りしたりを十から数十回繰り返し、多数の同一回路を同時にひとつのウェハー上に作る。ウェハー上の回路はテスト前、または後にひとつずつ切り離されてダイ<ref>{{lang-en-short|die}}</ref>となる。良品だけがサブストレートやリード・フレームに載せられ、ボンディング・ワイヤやフリップ・チップの直接接続によって外部端子との配線が行われた後、プラスチックやセラミック、金属缶で出来たパッケージに封入され、動作テスト後に梱包・出荷される。
 
これらがモノリシック集積回路の製造工程であるが、ハイブリッド集積回路は、複数のダイまたはひとつのダイといくつかの単体の受動部品といった組み合わせでひとつのパッケージに収められたものである。
 
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== 歴史 ==
=== 集積回路の誕生 ===
実際に集積回路を考案したのは[[レーダー]]科学者{{仮リンク|ジェフリー・ダマー|en|Geoffrey Dummer}}(1909年生まれ)であった。彼は[[英国]]国防省の王立[[レーダー]]施設で働き、1952年5月7日ワシントンD.C.でそのアイデアを公表した。しかし、ダマーは1956年、そのような回路を作ることに失敗した。各社は集積回路の実現を目指して、RCAのマイクロモジュール、Westinghouseのモレキュラーエレクトロニクス、TIのソリッドステートサーキットなどが開発された<ref name="exhibi719"/>。初期の集積回路の概念は、モノリシックICというより後のハイブリッドICに近いもので、この概念にしたがって、基板に[[真空蒸着]]で[[抵抗素子]]や[[コンデンサ]]を形成して[[トランジスタ]]と組み合わせる[[薄膜集積回路]]や、現在の[[プリンテッドエレクトロニクス]]に相当する印刷技術により抵抗や配線、コンデンサなどを1枚のセラミック基板上に集積した厚膜集積回路が開発されていった<ref name="exhibi719"/>
また、1958年には[[ウェスティングハウス]]から「Molectronics」という名称の集積回路の概念が発表され<ref>{{citation|url=https://www.jstage.jst.go.jp/article/jiep1985/4/1/4_1_2/_pdf |format=PDF |title=戦後40年のやきもの }}</ref>、1960年2月にSemiconductor Product誌に掲載された記事に触発されて[[電気試験所]]でも同年12月に見方次第ではマルチチップ構造のハイブリッドICともいえるゲルマニウムのペレット3個を約1cm角の樹脂容器に平行に配列した集積回路の試作に成功した<ref>{{citation|url=http://www.shmj.or.jp/shimura/ssis_shimura2_06.htm |title=米誌に触発された電試グループ }}</ref><ref>{{citation|url=http://www.shmj.or.jp/shimura/shimura_J_L/shimura2_06_3L.jpg |title=固体回路の一試作 昭和36(1961)年4月8日 電気四学会連合大会}}</ref>。1961年2月にはウェスティングハウスと技術提携した三菱電機から11種類のモレクトロンが発表された<ref name="exhibi719">{{citation|url=http://www.shmj.or.jp/museum2010/exhibi719.htm |title=1960年代初 国産ICのスタート }}</ref>。日本で最初のモノリシック集積回路は東京大学と日本電気の共同開発とされる<ref>{{citation|url=http://www.shmj.or.jp:80/shimura/ssis_shimura2_07.htm |title= 東大グループは「固態型論理回路」}}</ref>
 
また、1958年には[[ウェスティングハウス]]から「Molectronics」という名称の集積回路の概念が発表され<ref>{{citation|url=https://www.jstage.jst.go.jp/article/jiep1985/4/1/4_1_2/_pdf |format=PDF |title=戦後40年のやきもの }}</ref>、1960年2月にSemiconductor Product誌に掲載された記事に触発されて[[電気試験所]]でも同年12月に見方次第ではマルチチップ構造のハイブリッドICともいえるゲルマニウムのペレット3個を約1cm角の樹脂容器に平行に配列した集積回路の試作に成功した<ref>{{citation|url=http://www.shmj.or.jp/shimura/ssis_shimura2_06.htm |title=米誌に触発された電試グループ }}</ref><ref>{{citation|url=http://www.shmj.or.jp/shimura/shimura_J_L/shimura2_06_3L.jpg |title=固体回路の一試作 昭和36(1961)年電気四学会連合大会}}</ref>。
 
著名な集積回路の特許は、米国の別々の2つの企業の、2人の研究者による異なった発明にそれぞれ発行された。[[テキサス・インスツルメンツ]]の[[ジャック・キルビー]]の特許「Miniaturized electronic circuits」は1959年2月に出願され、1964年6月に特許となった({{US patent|3138743}})。[[フェアチャイルドセミコンダクター]]の[[ロバート・ノイス]]の特許「Semiconductor device-and-lead structure」は1959年7月に出願され、1961年4月に特許となった({{US patent|2981877}})。
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