「EPROM」の版間の差分
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データを書き込むには、アドレスを指定しつつ、トランジスタに通常よりも高い電圧を印加する。それによって電子のなだれ放出が起き、絶縁酸化物層を通過してゲート電極上に電荷を蓄積するのに十分なエネルギーが与えられる。高い電圧の印加をやめると、電荷が電極上に閉じ込められる<ref>Vojin G. Oklobdzija, ''Digital Design and Fabrication'', CRC Press, 2008 ISBN 0849386020, page 5-14 through 5-17 </ref>。ゲートを取り囲む酸化ケイ素の層は絶縁値が高いため、蓄えられた電荷は簡単には漏れ出すことができず、データは数十年間保持できる。書き込み時の高電圧がシリコンにストレスを与えるため、書き換え可能な回数はおおよそ20回前後である。
[[EEPROM]]とは異なり、書き込みは電気的に何度も行えるというわけではない。トランジスタのアレイに格納されたデータを消去するには、[[ダイ (集積回路)|ダイ]]に直接[[紫外線]](UV)をあてる。UV光の光子によって酸化ケイ素中で電離が発生し、フローティングゲートに蓄積された電荷が絶縁膜を通って拡散する。メモリアレイの一部のみ選択的に紫外線を当てるということはできないため、全メモリが同時に消去される。一般的な大きさのUVランプを使うと、消去には数分かかる。太陽光の場合数週間でメモリが消去され、室内の[[蛍光灯]]にさらした場合は消去に数年以上かかる<ref>
== 詳細 ==
石英ガラスの窓は高価だったため、廉価版の[[PROM#OTPROM|ワンタイムPROM]](OTP:One-Time Programmable ROM)として窓のないパッケージにダイを収めた製品も作られたが、これは消去ができないため一度書き込むと書き換えられない。また、こうすると消去機能のテストを省略できるため、そういった面でもコストが低減された。OTP版のEPROMやEPROM内蔵型マイクロコントローラが製造された。しかし、OTP EPROM は少量生産用途ではコストが問題とならないため[[EEPROM]]に徐々に置き換えられていき、大量生産用途では[[フラッシュメモリ]]に置き換えられていった。
EPROMは書き込まれた内容を約10年から20年保持するとされている<ref>[[
EPROMの消去は400[[ナノメートル|nm]]より短い波長の光によって起きる。太陽光では1週間から3週間、室内の蛍光灯では3年ほど光を当て続けるとメモリの内容が消去されることになる。推奨される消去方法は、波長 253.7 nm で最低でも15WのUVランプを20から30分照射するというもので、ランプとEPROMの距離は約1インチ(2.54cm)とする。
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==外部リンク==
* [http://www.progshop.com/shop/electronic/eprom-programming.html Detailed information about EPROMs types and EPROM programming]
* YAN Kun(2011). [http://www.nature.ac.cn/papers/paper-pdf/ConnectionEquation-pdf.pdf Nonlinstor-An electronic circuit element can be used to the future nonlinear store (or memory) system based on the form of the nonlinear differential equation] (Brief annotation of the connection equation(R)), Xi'an: Xi'an Modern Nonlinear Science Applying Institute.
{{半導体メモリ}}
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