「Dynamic Random Access Memory」の版間の差分
削除された内容 追加された内容
タグ: コメントアウト |
|||
12行目:
DRAMの開発時点で一般的だった半導体メモリーの1つで、-->
半導体メモリ以前から、キャパシタを利用したダイナミックメモリーは、たとえば[[アタナソフ&ベリー・コンピュータ]]に使われたコンデンサ・メモリーなど、存在していた。
<!--
DRAMの登場以前は、主記憶装置に使用する半導体メモリとしては、1つの[[フリップフロップ回路]]によって "1" か "0" の状態（1ビット）を記憶するために、2-6個のトランジスタを必要とする、[[Static Random Access Memory|SRAM]]を使用していた。記憶容量に対して必要な回路規模が大きかった。
--><!--
（詳細は https://en.wikipedia.org/wiki/Intel_1103 の記事を参照）SRAMが多用された分野も無かったわけでもないが、基本的な流れとしては、DRAMによって置き換えられたのはコアメモリであってSRAMではない。
-->
▲DRAMは、1ビットを保持するのに必要な回路規模を小さくすることで集積度を上げ、シリコンチップ当りの記憶容量を増やすために、記憶素子をコンデンサで作りメモリーセル・アレイの周囲の回路でコンデンサの電荷が失われる前に充電しなおすものとして構想された。スタティック・メモリーと比べれば、周囲の回路が余分に必要とされるが、個別のメモリーセルは1つのトランジスタと微小なコンデンサで済むので全体の回路規模は小さくなった。
[[Z80]]は、このDRAMのリフレッシュ動作専用の7ビットのレジスタ（Rレジスタ）を持っていて、命令列の実行中に、プログラム自体のアクセスとは無関係に、リフレッシュのためのアクセスを、このレジスタから作られるアドレスに対して行うという機能を持っている。後の多くのマイクロプロセッサではプロセッサコア以外で実装される機能であるが、当時は[[マイクロコントローラ]]的な応用や[[ホビーパソコン]]を廉価に製品としてまとめ上げる等といった目的にも効果的な機能であった。なお、多数開発された「Z80互換」チップでは、メモリコントローラとして別機能としたものや、省電力機器用として完全にオミットしているものなどもある。
▲一方、リフレッシュ動作のために消費電力が大きくなるなどの理由から、省電力が必要な携帯機器などでは、容量のわりにコスト高となっても、SRAMを使用し続けたものもあった。
[[ファイル:DRAM Cell Structure (Model of Single Circuit Cell).PNG|thumb|250px|right|'''DRAMのメモリセル回路'''<br/>1.ビット線 2.ワード線 3.FET 4.キャパシタ 5.ビット線の浮遊容量]]
== 構造 ==
| |||