「Dynamic Random Access Memory」の版間の差分

[[フラッシュメモリ]]で使用されているように、キャパシタ内の電価荷の有無により"0"と"1"を検出して1セル当り1ビットを保持するのではなく、例えば、0%、25%、50%、100%と4段階で電価荷量を検出すれば、1つのセルで2ビットの情報を保持することができる。これが多値化技術であり、DRAMでも早くから提唱されていたが、実際の製品にはほとんど採用されていない。<!--S/N比と集積度とのトレードオフなのでしょうが、詳しい理由が判る方の加筆を期待いたします。-->