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52行目:
==== 記憶 ====
{{Main|記憶装置}}
記憶装置はアドレスを附与された領域の列で、各々の領域には命令又はデータが格納される。
[[主記憶装置|主記憶装置(メモリ)]]は番地を付けられたセルの列で、各々のセルには小さな量の情報が格納される。この情報はある場合にはコンピュータに何をすべきかを教える命令である。また、セルにはコンピュータが命令を実行する対象となるデータも格納される。全てのセルはこのどちらかを格納し、ある時はデータを、またある時は命令を格納する。
 
領域に格納された情報が書き換え可能かどうかは、記憶装置の実装方法に依る。
一般的には、メモリセルの中身はいつでも書き換えられる。すなわち石板というよりは落書き帳に近い。
 
各セルのサイズとセルの数はコンピュータごとに大きく異なる。また、記憶装置（メモリ）を実装する技術もまた時代ととも伴に大きく変化してきた。最初期は電磁[[継電器|(リレー]])が、続いて水銀の入った管（[[水銀遅延線]]）や金属線を波（振動）が伝わる際の遅延時間を利用するデバイス部品が使われた。次にはフェライト製のトロイダルコア（[[磁気コアメモリ]]）や個別部品の[[トランジスタ]]が使われた。そして、現在使われているタイプ方式のメモリ記憶装置の元祖と言える、[[集積回路]]によるメモリは1960年代に開発され、1970年代にはコストパフォーマンスで凌駕し、それまでの主流だったコアメモリに代替わり主流となった（[[インテル]]の[[Dynamic Random Access Memory|DRAM]]、1103による（[[:en:Intel 1103]]））。
 
また、補助的なに用いられる、一般に大容量の[[補助記憶装置]]がある。例えば、SSDやHDDなどがそれである。
 
==== 演算 ====
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