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インバーテッド型はゲート端子がサブストレート側についている事、スタガード型の特徴はチャネル層とずれた軸にドレイン、およびソース端子が追加されている事、コープレーナー型はチャネル層の横に直接付けられるような形でドレイン、およびソース端子が付けられている事が特徴。
通常のMOSと異なり反転層（inverted（inversion layer）を形成せずに蓄積層（accumulation layer）を形成してコンダクタンスを上げる点、すなわちn型のキャリアは電子、p型のキャリアはホールである点であるのも特徴である。下の素子の構成を見れば一目瞭然だが、そのため通常のMOS構造には見られないチャネル層が加えられている。
薄膜トランジスターの薄膜と言う呼称の由来は積層され、トランジスタを構成する物質半導体層や[[ゲート絶縁膜]]、電極、保護絶縁膜などが通常の[[シ真空蒸着]]や[[スパッタリコング]]、プラズマを用いた[[ウェハー化学気相成長]]と異なり([[プラズマCVD]])などで薄膜状にガラスあるいは石英製の[[基板]]、に形成されることに由来する。なおよび、基板に[[プラスチック]]などの素材がを使わう研究開発もなされることからであている。
反転層を形成しないため、スレッショルド（しきい値電圧）の意味がMOSのものと異なる（MOSではスレッショルド電圧は強反転層を形成し始めるゲート-ソース電圧を指すが薄膜トランジスターでは反転層形成自体が存在しない）が、基本的な公式や考え方はMOSのそれと変わらず、そのままコンセプトを応用できる（ただしバックゲート端子が存在しないため、基盤板バイアス効果によるしきい値電圧の変動は行えない）。
== 種類とその特徴 ==
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