「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の版間の差分

IGBTはサイリスタと同様にP-N-P-Nの4層からなる半導体素子でありながら、サイリスタ動作をさせずにMOSゲートで電流を制御できる素子である。このIGBT動作モードは1968年に山上倖三によって特許公報昭47-21739で最初に提案された。また、19681978年にはB.W. Scharf とJ.D. Plummerが4層の横型サイリスタでこのIGBT動作モードを実験的に初めて確認している<ref>{{Cite conference|year = 1978|title = SESSION XVI FAM 16.6 - A MOS-Controlled Triac Devices|conference = IEEE International Solid-State Circuits Conference|publisher = |first1 = B.W.|last1 = Scharf|first2 = J.D.|last2 = Plummer|doi=10.1109/ISSCC.1978.1155837}}</ref>。この動作モードを持つ最初の縦型素子は1982年にB. J. BaligaがIEDMで論文を発表しており<ref name=":0">{{Cite conference|year = 1982|title = The insulated gate rectifier (IGR): A new power switching device|conference = IEEE International Electron Devices Meeting Abstract 10.6|last1 = Baliga|first1 = B. J.|coauthor = et al.|pages = 264-267}}</ref>、また、同様な論文が1982年にJ.P. Russel等がIEEE Electron Device Letterに投稿している<ref name=":1">{{Cite journal|year = 1983|title = The COMFET—A new high conductance MOS-gated device|journal = Electron Device Lett.|volume = 4|last = Russel|first = J.P.|coauthors = et al.|publisher = IEEE|issue = 3|pages = 63–65|doi = 10.1109/EDL.1983.25649}}</ref>。このIGBT動作をする素子はInsulated-Gate Rectifier (IGR)<ref name=":0" />、 Insulated-Gate Transistor (IGT)<ref>B. J. Baliga, "Fast-switching insulated gate transistors", IEEE Electron Device Letters, Vol. EDL-4, pp. 452-454, 1983</ref>、 Conductivity-Modulated Field-Effect Transistor (COMFET)<ref name=":1" />、やBipolar-mode MOSFET<ref name=":2">{{Cite conference|year = 1984|title = Non-latch-up 1200V 75A bipolar-mode MOSFET with large ASO|conference = IEEE International Electron Devices Meeting|publisher = |pages = 860-861|first1 = A.|last1 = Nakagawa|others = Technical Digest}}</ref>などと呼ばれた。