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素子に[[電圧]]をかけていくにつれて素子内部の電子の速度が増加するが、ある臨界値になると[[結晶格子]]により電子の速度エネルギーが吸収され、電子の速度が減少する。この臨界値より大きい電圧を結晶にかけると、結晶の中の負電極の近くに電界の高い領域が発生し、この領域が素子の内部を正電極に向けて移動する。この現象が高速で連続することにより、マイクロ波が発生する。出力は小さく、主に通信用のマイクロ波発振器で利用される。
研究レベルでは、周[[テラヘルツ波数で|テラヘルツ]]を超える周波数のガン・ダイオードも報告されている<ref>{{Cite journal|last=Amir|first=F.|last2=Mitchell|first2=C.|last3=Farrington|first3=N.|last4=Missous|first4=M.|date=2009-09-17|title=Advanced Gunn diode as high power terahertz source for a millimetre wave high power multiplier|url=https://doi.org/10.1117/12.830296|journal=Millimetre Wave and Terahertz Sensors and Technology II|publisher=SPIE|doi=10.1117/12.830296}}</ref><ref>{{Cite web|url=https://www.researchgate.net/publication/224442944_The_anatomy_of_the_Gunn_laser|title=The anatomy of the Gunn laser {{!}} Request PDF|accessdate=2019-01-20|website=ResearchGate|language=en}}</ref>。
== 関連項目 ==
* [[リン化インジウム]]
* [[再生回路]]
== 出典 ==
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