「シリコンウェハー」の版間の差分

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==== Cz法 ====
[[Image:Czochralski Process.svg|thumb|400px|チョクラルスキー法の概略図]]
材料となる粗く砕かれた高純度多結晶シリコンは、[[石英]]の[[るつぼ]]に詰められる。この段階で最終的な半導体の特性を決める微量の導電型不純物である、P型なら[[ホウ素]] (B) を、N型なら[[リン]] (P) や[[アンチモン]] (Sb) を加えておく。石英るつぼは[[不活性ガス]]で満たされた炉内に納められると、周囲からカーボンヒーターで加熱されて多結晶シリコンはやがて溶融する。溶けたシリコン液相表面の温度は溶解温度となるように厳密に管理され、その表面中心に[[ピアノ線]]で吊るされた種結晶を接触させた後、ゆっくりと回転させながら引き上げていく。種結晶が接触した下部ではわずかに冷やされたシリコンが固体となって析出し種結晶の結晶配列を引き継いで溶解シリコン表面との間に成長してゆく。溶解シリコンから引き上げて成長させる過程で、引き上げ速度を少し上げたり溶解シリコンの温度を少し上げると結晶径が減少し、その逆は結晶径が拡大する。