「シリコンウェハー」の版間の差分

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==== 高品質加工 ====
より表面欠陥密度の低い高品質のウエハーを求める要求に応じてさらに加工が行なわれ、エピタキシャル・ウエハー ({{en|EpitazialEpitaxial wafer}}) とアニール・ウエハー ({{en|Annealed wafer}}) 、そして特殊な要求に応じたものとしてSOIウエハー ({{en|Semiconductor On Insulator wafer, Silicon On Insulator wafer}}) が作られる。これらの加工を行なわないものはポリッシュッド・ウエハー ({{en|Polished wafer, PW}}) と呼ばれる。
 
エピタキシャル・ウエハーはシリコン単結晶層を気相成長で数[[マイクロメートル|μm]]堆積したものである。この過程でボロンを10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>程度添加するP+ウエハーがある。
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