ノート:磁気抵抗メモリ

項目名変更について(2006年)

• MRAM というのは略称ですから、RAM、DRAM、SRAMなどにあわせて 「Magnetoresistive Random Access Memory」もしくは 「Magnestic Random Access Memory」への改名を提案します。 --textex 2006年3月7日 (火) 02:52 (UTC)

• （賛成）慣例にしたがって。英語版はw:MRAMですが、冒頭はMagnetoresistive Random Access Memoryになっているので、こちらを推します。--BitBucket 2006年3月9日 (木) 04:53 (UTC)
  • 特に反対もないようなので、移動させます。--textex 2006年3月16日 (木) 13:22 (UTC)
  • 移動、リンク元の修正（日本語、他言語）を完了しました。--textex 2006年3月16日 (木) 13:53 (UTC)

改名提案について(2008)

• 「磁気抵抗メモリ」という日本語名があり、一般にそれで通じるのでそっちを使った方が良いと思うので、「磁気抵抗メモリ」への改名を提案します。--asuka-ac2008年9月21日 (木) 00:43 (UTC)

新しい提案なのでページの下へ移動しました。--Tiyoringo 2008年9月21日 (日) 00:43 (UTC)

• （コメント）一般にはMRAMが用いられるのではないでしょうか。ciniiで論文検索したところ、「磁気抵抗メモリ」のヒット3件に対して、「MRAM」は379件、「Magnetoresistive Random Access Memory」は56件です。後2者には当然英語論文も含まれますが、日本語論文だけを見ても明らかに「磁気抵抗メモリ」よりは多いようです。--Extrahitz 2008年9月21日 (日) 06:19 (UTC)
  • （コメント）日本語の名称がある限り、Wikipedia:記事名の付け方に則り日本語名称を採用すべきと思います。Wikipedia内の例では、絶縁ゲートバイポーラトランジスタは上記の論文検索では「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の検索結果は5件、略称である「IGBT」は839件ですが、日本語の記事名になっています。こちらの記事も、「磁気抵抗メモリ」を正式の記事名とし、MRAMはリダイレクトとするほうが良いと思います。--Yanahan 2008年10月4日 (土) 03:04 (UTC)
    • 改名しました。--Yanahan 2008年10月12日 (日) 14:51 (UTC)