ノート:MOSダイオード

最新のコメント:2 年前 | トピック:反転層の形成時間 | 投稿者:Wind-o-Vail

反転層の形成時間 編集

記事中には「さらにゲート電圧が正の方向に大きくなると(図の右側)、酸化膜/p型シリコン界面に少数キャリアである電子が急激に蓄積する(反転)。」とありますが、(MOSダイオードのCV測定をすると分かりますが)孤立したMOSダイオードで結晶性が良く、光も遮断された状態であれば反転層の生成にはかなり長い時間(数秒から数分)かかります。MOSFETで反転層が急速に生成されるのは隣にソースの拡散層があるからです。簡単に反転層ができるようではDRAMのメモリーセルには使えません。MOSFETの動作の説明にも関係するので修正された方が良いかと思います。--Wind-o-Vail会話2022年3月22日 (火) 03:05 (UTC)返信

具体的に書いた方が良いかと思いますので、私案として記述したものをアップしておきます。
コメントなどありましたらよろしくお願いいたします。--Wind-o-Vail会話2022年3月24日 (木) 03:22 (UTC)返信
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