「化学気相成長」の版間の差分
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'''化学気相成長'''、'''化学気相蒸着'''または'''化学蒸着'''（'''CVD''': ''Chemical Vapor Deposition''）は、さまざまな物質の薄膜を形成する[[蒸着]]法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基盤物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基盤表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧（大気圧）や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。[[切削工具]]の表面処理や[[半導体素子]]の製造工程において一般的に使用される。
== 特徴 ==
* 高[[真空]]を必要としないため、製膜速度や処理面積に比して装置規模が大きくなりにくいメリットがある。
* 製膜速度が速く、処理面積も大きくできる。このため大量生産に向く。
* [[PVD]]、[[分子線エピタキシー法|MBE]]などの真空[[蒸着]]と比較すると、凹凸のある表面でも満遍なく製膜できる。
* 基板表面と供給する気相の化学種を選ぶことで、基板表面の特定の部位にだけ選択的に成長することが可能である。
== 分類 ==
供給する化学種や求める特性などによって、様々なバリエーションが存在する。最も基本的なのは、化学反応の制御に熱を用いる[[熱CVD]]である。
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* [[触媒化学気相成長法]](Cat-CVD)
== 関連項目 ==
* [[表面処理]]
* [[蒸着]]
* [[物理気相成長]]（PVD）
* [[分子線エピタキシー法]](MBE)
{{tech-stub}}
[[Category:表面処理|かかくきそうせいちょう]]
[[
[[cs:Chemická_depozice_z_plynné_fáze]]
[[de:Chemische_Gasphasenabscheidung]]
[[en:
[[fi:CVD]]
[[fr:Dépôt_chimique_en_phase_vapeur]]
[[id:CVD]]
[[it:
[[nl:CVD-proces]]
[[sl:
[[zh:化学气相沉积]]
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