「404特許」の版間の差分

青色発光ダイオードに用いられているGaN([[窒素|窒化]][[ガリウム]])の[[結晶]]を成長させるためには約1000℃に熱した基板にGaNの原料ガスを噴射する必要があるが、そのままではガスが舞い上がってしまい上手く結晶化することができない。そこで、GaNの原料ガスと同時に別のガスを上から吹き付けることで、基板に原料ガスを押しつけ、結晶成長を可能とした。これを「[[ツーフローMOCVD」]]と呼び、青色発光ダイオードの製造における最大のポイントとなっている。