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2008年7月22日 (火) 13:46時点における版
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→半導体工学への応用
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→Co-Implantation
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12行目:
=== Co-Implantation ===
ドーパント原子と共に
[[炭素]](
C
/
)、[[窒素]](
N
/
)、[[フッ素]](
F
)等の
原子を注入することにより、熱処理時のドーパントの拡散が抑制される効果が得られる。浅い接合を形成するために用いられることがある。
=== PAI(Pre-Amorphization Implantation) ===