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[[半導体]]用の[[ケイ素]]単結晶の製造に広く行われるこの方法で、コランダムなどの単結晶を作ることもできる。これは[[ポーランド]]のチョクラルスキー（[[:en:Jan Czochralski|Jan Czochralski]]）が[[1913年]]に開発したところから、[[チョクラルスキー法]]（[[:en:Czochralski process|Czochralski process]]）、CZ法とも呼ばれる。
ルツボに原料を入れて融解し、上から吊した種結晶を原料の液面に触れさせると、種結晶の方位の通りに液面が再結晶してゆく。適切な速度で結晶を引き上げて長い単結晶を作る。ただし、この方法でコランダムなどが作られたのは、[[1990年代]]の後半である。[[格子欠陥]]は少ない。
== 多結晶コランダム塊の製造法 ==
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