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2005年9月5日 (月) 09:02時点における版
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1行目:
'''ウェットエッチング(wet etching)'''とは、[[半導体プロセス]]においてパターンを形成する際に、薬液を用いて[[エッチング]]を行うことである。それに対して、ガスを用い
て[[エッチング]]を行うこと
る方法
を[[ドライエッチング]]と言う。
[[フォトレジスト]]パターン形成後に、その下地の薄膜などを薬液を用いて取り除く。その後、残留している[[フォトレジスト]]は、[[剥離液]]によって除去される。