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'''化学気相成長'''、'''化学気相蒸着'''または'''化学蒸着'''（'''CVD''': ''Chemical Vapor Deposition''）は、さまざまな物質の薄膜を形成する[[蒸着]]法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧（大気圧）や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。[[切削工具]]の表面処理や[[半導体素子]]の製造工程において一般的に使用される。
[[Image:PICT0111.JPG|thumb|right|200px|運転中のプラズマCVD(PECVD)装置内部の例]]
== 特徴 ==
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== 分類 ==
[[Image:ThermalCVD-JP.PNG|thumb|right|200px|熱CVD装置（ホットウォール型、バッチ式）の構成図]]
[[Image:PlasmaCVD-JP.PNG|thumb|right|200px|プラズマCVD装置の構成図]]
供給する化学種や求める特性などによって、様々なバリエーションが存在する<ref name="HakumakuGijyutsu">図解・薄膜技術、真下正夫、畑朋延、小島勇夫、培風館、1999年、ISBN 4-563-03541-6</ref>。最も基本的なのは、化学反応の制御に熱を用いる[[熱CVD]]である。
* [[熱CVD]]…熱による分解反応や化学反応を利用する方式。
:* [[触媒化学気相成長法]](Cat-CVD)… 高温のフィラメントを用いて原料ガスを分解させる方式。ホットワイヤー型CVD(HWCVD)とも呼ばれる<ref>{{cite conference | first=R.E.I. | last=Schropp | coauthors=B. Stannowski, A.M. Brockhoff, P.A.T.T. van Veenendaal and J.K. Rath | title=Hot wire CVD of heterogeneous and polycrystalline silicon semiconducting thin films for application in thin film transistors and solar cells | booktitle=Materials Physics and Mechanics | pages=73–82 | url=http://www.ipme.ru/e-journals/MPM/no_2100/schropp/schropp.pdf | format=PDF}}</ref>。
* [[プラズマCVD]]…プラズマを用いて原料ガスの原子や分子を励起・反応させる方式。▼
* 光CVD
▲* [[プラズマCVD]]…プラズマを用いて原料ガスの原子や分子を励起・反応させる方式。
* エピタキシャルCVD
* アトミックレイヤーCVD
* [[有機金属気相成長法]](MOCVD)…原料に[[有機金属]]を用いるもの。
== 参照資料 ==
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