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12行目: == 種類とその特徴 == 現在広く使われているものはチャネル層に水素化アモルファスシリコン（a-Si:H: hydrogenated amorphous silicon）が使われているが、スレッショルド電圧のが経過時変化間・ゲート電圧・温度により変化する不安定さが問題とされている。これは1）バンドギャップ内に存在する不安定ステート（metastable state）と2）絶縁層内、および3）境界ステート（interface state）に堆積された電子による影響の３種類に大別される。基本的にゲート印加電圧が低い場合の主因は1、電圧が高い場合は2と考えられ、3は通常無視される。

「薄膜トランジスタ」の版間の差分