「ウェットエッチング」の版間の差分
削除された内容 追加された内容
m r2.6.4) (ロボットによる 追加: kk:Күйдірмелеу |
Wikipedia:レイアウトの指針#記事の構成、{{デフォルトソート:}} |
||
1行目:
'''ウエットエッチング'''とは、目的とする[[金属]]等を腐食溶解する性質を持つ[[液体]]の[[薬品]]を使った[[エッチング]]である。
主にプリント配線板製造や、金属[[銘板]]製造、[[半導体素子]]製造等の分野において使われる。半導体集積回路製造において、リソグラフィ技術と並んで重要な技術であり、半導体などの基板表面に光（電子ビーム）リソグラフィなどで微細なパターンを有するエッチマスクを形成させ、それによって基板を微細加工する際に用いられる。なお、美術の分野で銅版画にウエットエッチングが使われることがある。また結晶構造による反応性の違いを利用した異方性エッチングも使用される。他に、[[太陽電池]]表面の反射率を下げる為に[[テクスチャ]]形成にも用いられる。[http://www.jstage.jst.go.jp/article/sfj/56/12/843/_pdf/-char/ja/]▼
== 概要 ==
▲主にプリント配線板製造や、金属[[銘板]]製造、[[半導体素子]]製造等の分野において使われる。半導体集積回路製造において、リソグラフィ技術と並んで重要な技術であり、半導体などの基板表面に光（電子ビーム）リソグラフィなどで微細なパターンを有するエッチマスクを形成させ、それによって基板を微細加工する際に用いられる。なお、[[美術]]の分野で銅版画にウエットエッチングが使われることがある。また[[結晶構造]]による反応性の違いを利用した異方性エッチングも使用される。他に、[[太陽電池]]表面の反射率を下げる為に[[テクスチャ]]形成にも用いられる
|author = 辻埜和也
|coauthors = 松村道雄
|year = 2005
|title = ウェットエッチングによる太陽電池用シリコンウェーハへの低反射表面凹凸構造の形成技術
|journal = 表面技術
|volume = 56
|issue = 56
|pages = 843頁
|publisher = 一般社団法人 表面技術協会
|issn = 0915-1869
|doi = 10.4139/sfj.56.843
|naid = 130000149185
|id = {{JOI|JST.JSTAGE/sfj/56.843}}
|url = http://www.jstage.jst.go.jp/article/sfj/56/12/56_843/_article/-char/ja/
|format = PDF
}}</ref>。
[[ドライエッチング]]に比べた長所としては、
9 ⟶ 27行目:
# エッチング深さが深いとエッチマスクの真下にも腐食が進む（アンダーカット）ため、精度の高い微細加工が難しい
# 薬品の温度や攪拌速度によってエッチングレートが変化するため、エッチングの再現性に乏しい
という点がある。
一般に、ドライエッチングの方が高アスペクト比（エッチング深さと幅の比率）の加工ができ、加工の自由度も高いが、高価な装置が必要で危険な反応性ガスを用いることがあるので、ウエットエッチングでは無理な場合にドライエッチングを用いる、使い分けがなされている。
その点を改良したものとして、処理対象にスプレー式に薬品を吹き付けるスプレー式、[[スピンコーター|スピナー]]と呼ばれる回転台に基板を取り付けて、薬品を滴下するスピン式などがある。
== シミュレーションソフトウェア ==
ウェットエッチングではエッチレートから手計算でどのような形状にエッチングされるか計算することが可能である。しかし、手計算では膨大な計算時間が必要となるので効率化させるためにソフトウェアを用いて計算する方法がある。
* AnisE (IntelliSense社)
* IntelliEtch (IntelliSense社)
== 脚注 ==
{{tech-stub}}▼
{{脚注ヘルプ}}
{{Reflist}}
== 参考文献 == <!-- {{Cite book}} --> <!-- {{Cite journal}} -->
{{節stub}}
== 関連項目 ==
<!-- {{Commonscat|Industrial etching}} -->
* [[エッチング]]
== 外部リンク == <!-- {{Cite web}} -->
{{節stub}}
[[Category:半導体製造]]
[[de:Ätzen]]
| |||