「404特許」の版間の差分

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'''404特許'''( - とっきょ)とは、[[中村修二]]が[[職務発明]]した[[窒化物]][[半導体]][[結晶膜]]の[[成長]]方法に関する[[特許]]2628404号のことである。
化学メーカーの[[日亜化学工業]]が[[1992年]]に特許出願した。本特許は高輝度[[青色発光ダイオード]]の製造において結晶成長の過程で利用することができる「[[ツーフローMOCVD]]」技術に関するものである。
 
==404特許の概要==
高輝度青色発光ダイオードなどに用いるGaN([[窒素|窒化]][[ガリウム]])の[[結晶]]を成長させるためには約1000℃に熱した基板にGaNの原料ガスを噴射する必要があるが、そのままではガスが舞い上がってしまい上手く結晶化することができない。そこで、GaNの原料ガスと同時に別のガスを上から吹き付けることで、基板に原料ガスを押しつけ、結晶成長を可能とした。ガス射出口が2つ有るために「ツーフローMOCVD」と呼ばれる。
 
==404特許訴訟==
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この404特許に係る職務発明裁判は一般的には「青色発光ダイオード裁判」や「青色LED裁判」などの名で広く報道され、一特許技術というよりはむしろ青色発光ダイオード製品そのものを巡っての裁判であると認識されがちな傾向が見られた。しかし被告会社は同事業で800件以上特許出願したとするほか、404特許の利用価値や位置付けを巡っては多様な議論もあった(なお和解のため司法の正確な結論は出ていない)ため、そうした表現が適切であったかという問いに答えるのは難しい。当時多数のマスコミが用いた「青色LED裁判」等の名称は誤解を招き公正中立な見方を損なっている恐れのある旨が一部技術専門誌で指摘された。日本の一般マスコミの科学技術報道における問題が現れた側面がある。
 
==404特許の概要==
高輝度青色発光ダイオードなどに用いるGaN([[窒素|窒化]][[ガリウム]])の[[結晶]]を成長させるためには約1000℃に熱した基板にGaNの原料ガスを噴射する必要があるが、そのままではガスが舞い上がってしまい上手く結晶化することができない。そこで、GaNの原料ガスと同時に別のガスを上から吹き付けることで、基板に原料ガスを押しつけ、結晶成長を可能とした。ガス射出口が2つ有るために「ツーフローMOCVD」と呼ばれる。
 
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