「遅延記憶装置」の版間の差分

水銀以外に、記憶装置として使われた媒体としては、[[ETL Mark III]]などで使われたガラス<ref>[http://museum.ipsj.or.jp/computer/dawn/0011.html 情報処理学会コンピュータ博物館] によれば金石舎研究所の協力による開発</ref>、磁性体（金属）ワイヤを使った磁歪遅延線<ref>磁歪遅延線の解説と実装例（詳細不明）は、中野馨『脳をつくる』の pp. 137-138, p. 144 にある。</ref><ref>磁歪遅延線がETL Mark IVで使われたとしているウェブページがあるが、開発者の一人である[[高橋茂]]著『コンピュータ クロニクル』 p.14 には、トランジスタの速度を下げたため、動作速度を下げると容量的に不利な遅延線は止め、磁気ドラムを採用した、とある。</ref>、ETL Mark IVでタイミング調整用に使われ、[[HITAC]] 5020で（主記憶ではなく）レジスタに使われた、同軸ケーブル内を伝わる高周波信号の遅れを利用する電磁遅延線がある。固体遅延線や電磁遅延線は記憶以外に、アナログ時代にはフィルタの部品としてよく使われ、テレビなどのために大量生産された（デジタル信号処理では逆に、記憶装置を使って信号の遅延が実現される）。