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[[EPROM]]とEEPROMの違いは書き込みと消去の方式の違いである。EEPROMは[[電界電子放出]]（FNトンネリング）を利用して電気だけで書き込みと消去が可能である。
EPROMは電気だけでは消去できず、フローティングゲートへの[[ホットキャリア注入]]で再書き込みを行う。消去には[[紫外線]]光源を使う。内部は同じ半導体を使いながらも、
多くの[[NOR型フラッシュメモリ]]はハイブリッドな方式を採用しており、書き込みはホットキャリア注入で行い、消去は電界電子放出で行う。
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