「薄膜トランジスタ」の版間の差分
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一部のメーカーにおいては一定時間の電圧と加熱により、ゲート印加電圧によって励起（れいき）され不安定となったvalence band connectionをdangling bond（defect）として安定させることによって対策している。
その他に有機・無機の素材を用いた薄膜トランジスタ、[[透過型薄膜トランジスタ]]（Transparent Thin Film Transistor）の研究などが行われている。
[[Category:トランジスタ|とらんじすた]]
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