「強誘電体メモリ」の版間の差分

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'''強誘電体メモリ'''(きょうゆうでんたいめもり・{{lang-en-short|{{interlang|en|Ferroelectric Random Access Memory}}}})とは、'''FeRAM'''とも呼ばれる、[[強誘電体]]の[[ヒステリシス]]([[ヒステリシス|履歴効果]])に因る正負の[[強誘電体|残留分極]]([[強誘電体|自発分極]])を[[デジタルデータ|データ]]の1と0に対応させた[[不揮発性メモリ]]のことである。'''FeRAM'''は'''FRAM'''とも呼ばれる事も有るが、これは[[ラムトロン・インターナショナル]]<!--{{仮リンク|en|Ramtron International}}-->(【現】[[サイプレス・セミコンダクター]]<!--{{仮リンク|en|Cypress Semiconductor}}--><ref name="acquired">{{Cite web|url=http://www.cypress.com/?rID=92567|title=Cypress Semiconductor has acquired Ramtron International Corporation|accessdate=2014年3月7日|last=|first=|author=|authorlink=|coauthors=|date=|year=|month=|format=|work=|publisher=|page=|pages=|quote=|language=[[英語]]|archiveurl=|archivedate=|deadlinkdate=|doi=|ref=}}</ref><!--Cypress Semiconductor-->)の[[商標]]として登録されており、[[富士通]]は同社との[[ライセンス]]により'''FRAM'''の[[名前|名称]]を使用している。