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'''FeRAM'''では、[[電界効果トランジスタ|FET]]をオンさせただけではビット線には[[データ]]は出力されない。何故ならば、[[セル]]である[[コンデンサ|キャパシター]]に[[電圧]]が印加されない状態では、[[セル]]に記憶されている[[データ]]が1であるか0であるかは[[強誘電体]][[コンデンサ|膜]]中に保存されているので、それを読み出すにはソースプレートを駆動して[[コンデンサ|キャパシター]]に[[電圧]]を印加して[[強誘電体]][[コンデンサ|膜]]中の[[誘電分極|分極]]を外部に[[電気素量|電荷量]]として読み出さなければならないからである。(これは読み出しに静電容量が極めて大きい[[セル]][[コンデンサ|キャパシター]]を駆動する[[時間]]を必要とすることも意味する。)従って、'''FeRAM'''においては、ワード線<!--({{lang-en-short|Word Line}})-->とビット線<!--({{lang-en-short|Bit Line}})-->以外にも、ソースプレート<!--({{lang-en-short|Source Plate}})-->の駆動線と特定の[[セル]]のそれを駆動するためのデコーダー[[論理回路|回路]]が必要となる。
 
これに因って、'''FeRAM'''では[[セル]]の[[集積回路#微細化|微細化]]や[[転送速度 (コンピュータ)|アクセス速度]]の高速化においては、困難が伴う。これらの欠点を克服すべく、[[東芝]]が、'''ChainFeRAM'''と呼ばれる、新しい[[メモリセル]]<ref name="memory_cell" />構造の'''FeRAM'''を[[2001年]]に発表している<ref name="ChainFeRAM">{{Cite journal|和書|last=|first=|author=[[大脇幸人]]|authorlink=|coauthors=[[國島巌]]・[[山川晃司]]|date=2001-01|year=|month=|title=新不揮発性メモリChainFeRAM|journal=[[東芝レビュー]]|volume=56|issue=1|page=|pages=51-54|publisher=[[東芝]]|location=|issn=|doi=|naid=|id=|url=https://www.toshiba.co.jp/tech/review/2001/01/56_01pdf/b06.pdf|format=PDF|accessdate=|quote=}}</ref>。なお、'''ChainFeRAM'''は[[東芝]]の[[商標]]である。
 
{{Gallery|title='''FeRAM'''のメモリセル|width=384|height=288|lines=1
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