「集積回路」の版間の差分

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==== 表面処理 ====
集積回路は半導体表面に各種表面処理を複数実施して製造される。まずウェハーにはイオン注入によってドープ物質を打ち込み、不純物濃度を高める措置が行われる(最初に作られるこの層がゲートなどの集積回路の中枢となる)。さらに[[SOI]]ではウェハーに絶縁層を焼きこむか張り合わせる事で漏れ電流を押さえ込む処置が行われる。そしてレジスト膜の塗布、ステッパーによる露光、現像処理によるレジスト処理を複数行い、その間に回路構造物の母体となるシリコンの堆積、[[イオン注入]]によるドープ物質の注入、ゲートや配線の土台となる絶縁膜の生成、金属スパッタリングによる配線、エッチングによる不要部分の除去などが行われる([[フォトリソグラフィ]])。集積回路の立体的な複雑さを配線層の枚数で数える事から4層メタル・6層メタル等と表現する。この表面処理技術は現在進行形であり、2014年現在は[[High-K絶縁膜]]、添加物打ち込み、メタルゲート、[[窒化物半導体]]素子など新たな技術が導入された。さらに新しい技術は、より微細化したプロセス・ルールと共に世に出ると言われている。
 
==== クリーンルーム ====
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