「ドレイン誘起障壁低下」の版間の差分
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長チャネルのプレーナー型FETでは、チャネルの狭くなった部分（ボトルネック）はドレイン接触から十分に離れた所にあり、基板とゲートの結合によりドレインからの静電的に遮蔽されている。よって閾値電圧はドレイン電圧に依存しない。
一方で短チャネルデバイスでは、これは正しくない。ドレインはチャネルを開閉するのに十分近くにある。これによってドレイン電圧が大きいとボトルネックを開けてトランジスタを早めにスイッチオンすることができる。
閾値が減少する原因は、電荷中性に関するYauのcharge-sharingモデルで理解できる<ref name=Arora>
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