「半導体素子」の版間の差分

半導体素子の材料としては、単結晶元素の[[シリコン]]の他に、[[ゲルマニウム]]の他、化合物半導体として[[ヒ化ガリウム]] (GaAs)、[[窒化ガリウム]] (GaN)、[[炭化珪素]] (SiC)等がある。

[[半導体]]材料の伝導性は、結晶構造中の[[自由電子]]の過不足を生む不純物に依存する。通常多数キャリア(majority carrier)（N型半導体では[[電子]]、P型半導体では[[正孔]]）)の移動により発現する。多数キャリアの存在密度は結晶構造中の[[自由電子]]の過不足を通生じて担われさせる不純物に依存する。
しかし、[[トランジスタ]]など多くの半導体素子では、動作するためには少数キャリア(minority carrier)N型半導体では正孔、P型半導体では電子が必要である。