「半導体」の版間の差分

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== 概要 ==
[[ファイル:BandDiagram-Semiconductors-J.PNG|thumb|300px|半導体の[[バンド構造]]の模式図。Eは電子の持つ[[エネルギー]]、kは[[波数]]。Egが[[バンドギャップ]]。半導体(や絶縁体)では、絶対零度で電子が入っている一番上のエネルギーバンドが電子で満たされており(充満帯)、その上に禁制帯を隔てて空帯がある([[伝導帯]])。]]
金属などの導体とゴムなどの絶縁体の中間の抵抗率を持つ物質を'''半導体'''(semiconductor)と呼ぶ。半導体は不純物の導入や[[熱]]や[[光]]、[[磁場]]、[[電圧]]、[[電流]]、[[放射線]]などの影響でその導電性が顕著に変わるという特徴を持つ<ref>バンド理論によれば、これらは適切な幅の禁制帯を持つ[[バンド構造]]に由来し、[[電子]]が[[伝導電子]]になったり[[価電子]]になったりすることで、電気的・光学的・熱的などの面で性質が変化する。</ref>が、これら特徴は固体の[[バンド理論]]によって説明される。
 
{{see also | バンド理論 }}
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</ref>。
=== 非オーム性抵抗(non-ohmic effect) ===
一般的に、抵抗は電流と電圧に関して直線比例的な関係を満たす、すなわち[[オームの法則]]が成り立つことからオーム性抵抗(ohmic resistance)と呼ばれる<ref>[[#シャイヴ(1961)|シャイヴ(1961)]] p.16</ref>。一方、電気回路においては、非オーム性抵抗素子はオーム性抵抗素子に劣らず重要である。
 
半導体が重要視される性質の一つは、半導体と金属、または半導体同士を適当に接触させることでさまざまな非オーム性抵抗が得られることにある<ref>[[#シャイヴ(1961)|シャイヴ(1961)]] p.16</ref>。