2006年9月14日 (木) 10:50時点における版編集 Zzzz (会話 \| 投稿記録) 4,538 回編集ウエットエッチング 2005年11月25日 (金) 01:51 (UTC)を統合 ← 古い編集		2006年9月14日 (木) 10:54時点における版編集取り消し Zzzz (会話 \| 投稿記録) 4,538 回編集とりあえず、もとのウエットエッチングの内容を残す新しい編集 →
1行目: ~~{{記事統合\|ウエットエッチング\|ウエットエッチング}}~~ '''ウェットエッチング''' ('''wet etching''') とは、[[半導体プロセス]]においてパターンを形成する際に、薬液を用いて[[エッチング]]を行うことである。それに対して、ガスを用いる方法を[[ドライエッチング]]と言う。 [[フォトレジスト]]パターン形成後に、その下地の薄膜などを薬液を用いて取り除く。その後、残留している[[フォトレジスト]]は、[[剥離液]]によって除去される。 ~~[[Category:半導体\|うえつとえつちんく]]~~ '''ウエットエッチング'''とは、目的とする金属等を腐食溶解する性質を持つ液体の薬品を使った[[エッチング]]である。<br> 主にプリント配線板製造や、金属銘板製造、[[半導体素子]]製造等の分野において使われる。

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